Search

Axtarış

Əfəndiyeva İzzət Məmməd qızı

ƏFƏNDİYEVA İZZƏT MƏMMƏD QIZI

Fizika üzrə elmlər doktoru,

Fiziki Elektronika kafedrasının 0,5 ştat professoru,

Bakı Dövlət Universiteti  Elmi-Tədqiqat Hissəsinin  rəisi

Iş telefonu: (+994 012)  439-73-73,  (+994 012)  510-59-77

e-mail: elmi_hisse@mail.ru, afandiyeva@mail.ru

QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT


  • 1950-ci il sentyabr  ayının  10-da Gəncə şəhərində ziyalı ailəsində anadan olub, azərbaycanlıdır.
  • 1967-1972  - Azərbaycan Dövlət  Universitetinin  (indiki Bakı Dövlət Universiteti) Fizika fakültəsinin əyani şöbəsində  (rus bölməsində) təhsil alıb.
  • 1972-1974   - Gəncə şəhəri 17 saylı dəmir-yoly məktəbinin  fizika müəllimi;
  • 1974-1977 -  illərdə  Azərbaycan Elmlər Akademiyası  Fizika İnstitutu Xüsusi  Konstruktor  Bürosunun  mühəndisi;
  • 1977-1989 -  Bakı Dövlət Universiteti Yarımkeçiricilər Fizikası Elmi-Tədqiqat  Laboratoriyasında (indiki Fizika Problemləri Elmi-Tədqiqat İnstitutu)   kiçik elmi işçi,  vəzifəsində işləmişdir.
  • 1989- 1997-ci illərdə  Bakı Dövlət Universiteti Elmi-Tədqiqat Hissəsinində nəşriyyat və sərgi işləri üzrə qrup rəhbəri, 1-ci prorektorun müavini;
  • 1997-2018-ci illərdə böyük elmi işçi, aparıcı elmi işçi, baş elmi işçi vəzifələrində işləmişdir.
  • 2012-ci ildən BDU Elmi-Tədqiqat Hissəsinin rəisi vəzifəsində işləyir.
  • 2018-ci il 17.09.2018-ci il tarixindən Fiziki Elektronika kafedrasında 0,5 ştat professor vəzifəsində çalışır.
  • 1992-1997- ci illərdə „Bakı Universitetinin  Xəbərləri”  jurnalı Baş Redaksiyasının məsul katibi olmuşdur.
  • 1989-2005-ci illərdə Radiotexnika, Elektronika və Rabitə Elmi -Texniki Cəmiyyətin  Rəyasət Heyyətinin üzvü.

2007-ci ildən YAP-ın üzvüdür.

104 elmi əsərin müəllifidir.

2 aspiranta rəhbərlik etmişdir : M.Ə.Qənbərzadə (İran)

L.K.Abdullayeva (BDU

TƏHSİLİ,  ELMİ  DƏRƏCƏSİ  VƏ  ELMİ  ADLARI

  • 1972-ci ildə  Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsini fizik, fizika müəllimi ixtisası almaqla bitirib.
  • 1991 –ci ildə  Gənclər İnstitutu  (Bakı ş.) Menecment  və  Biznes şöbəsini  “Xarici iqtisadi fəaliyyətin təşkili və texnikası” ixtisasını  almaqla  bitirib.
  • 1987-ci ildə “Keçid elementləri əsasında olan mürəkkəb oksidlərin – polyar dielektriklərin optik xassələri və elektron quruluşu “ (01.04.10-yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası) namizədlik,
  • 2013-cü ildə  “Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd 2Si/n-Si, Al-TiW/n-Si, AlNi/n-Si, Al-TiCu/n-Si   elektron quruluşu və daşınma mexanizmləri” (2211-01-bərk cisim fizikası )  doktorluq dissertasiyası müdafiə etmişdir.
  • 2009-cu ildə  “Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası” ixtisası üzrə dosent elmi adı alıb.

Tədqiqat sahəsi:

Yarımkeçırıcılər və dielektriklər fizikası, metal- yarımkeçirici  kontaktlar, nanoelektronika.

Xarici ölkələrə xidməti ezamiyyət 

Rusiya, Ukrayna, Belarusiya, Litva, Latviya, İran, Türkiyə.

Beynəlxalq seminar və simpoziumlarda iştirakı:

14-th RE Research Conference, North Dacota State Univ., USA,(ABŞ1979; Rusiya, Çernoqolovka, 1981; Malaga, Spain (İspaniya)1983; Rusiya , İrkutsk , 1989; International Conference on Solar Energy and the Islamic countries (SEIC),  Iran, Tehran,1995;
Inter-national Non-Renewable Energy Sources Congress Tehran, Iran, 1998; International  Conference on Fluid and Thermal Energy Conversion, Indonesiya, Bandung,2000;
The 23 Conference оn Solid State Science   &  Workshop on Physics and    Appli-cation Potential of  Functional Ceramic, Thin Films, Sharm El-Sheikh, Sinai.,Egypt,(Misir) 2002;
Х1 Υoĝun Madde Fiziĝi, Ankara Toplantısı (Türkiyə)2004; Türk Fizik Dernegi 23.Fizik Kongresi, 2005, Muĝla-Türkiyə ; Atom-Molekul ve cekirdek sistemlerininm yapıları ve spektrumları, Uluslara.Konf., Canak-kale, 18 mart Universitesi(Türkiyə) 2005;
Third Intern. Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering,   Ankara (Turkiyə)  2006;  6-th International Conference of the Balkan Physical Union (BPU-6), , Stanbul (Türkiyə)2006;
Condensed Matter Phys Conference of Balkan Countries cmpc- bc2008, Mugla( Turkiyə).

Sərgilər :

“BDU əməkdaşlarının elmi-tədqiqat işləri” ekspozisiyasını Beynəlxalq (1991,1992) və Respublika (2014,2016,2018) miqyaslı sərgilərdə təşkil edib

SEÇİLMİŞ ƏSƏRLƏRİ:

1.

Mamedov    A.M, Lebedeva N.N., Efendieva İ.M. “Domain Structure and Optical Properties of Gadolinium Molibdate”, 14-th RE Research Conference, Jun. 25-28, 1979, North Dacota State Univ., USA, 1979.

2.

Mamedov, AM; Shilnikov, VI; Efendieva I.M.  «Analysis of Ba2NaNb5O15 reflection spectra by the Kramers-Kronig method» Optika I Spektroskopiya,v.53, i.1, p.5-7, 1982

3.

Mamedov     M.A., Osman  M.A., Efendieva I.M. “VUV spectra and electron structure of oxygen-tetrahedral ferroelectrics” V European Meeting on Ferro-electricity. (Abstracts), Malaga, Spain,  p.4014, 1983.

4.

Osman MA., Mamedov AM .,Efendieva İ.M. ” Light-scattering in Gadolinium Molybdate due to domain-structure” Journal of physics-condensed matter,v. 2,i.28,1989.“

5.

Afandiyeva I.M., Askerov Sh.G., Abdullayeva L.K., Aslanov Sh.S. The obtaining of Al-Ti10W90/n-Si Schottky diodes and investigation of their interface surface state density. Solid State Electronics, 51,2007, p.1096.

6.

Əfəndiyeva İ.M., Ş.Q.Əskərov, L.K.Abdullayeva,və b.”Al0,8Ni0,2/nSi diodları ayrılma sərhəddinin electron xassələri” Fizika, XIII, №3,2007, s. 62.

7.

Afandiyeva I.M.,  Dökme İ., Altındal Ş.,Bülbül M., Tataroĝlu A. Frequency and voltage effects on the dielectric properties and electrical conductivity of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structures. Microelectronic Engineering,  85, 2008, p.247.

8.

Afandiyeva I.M.,  Dökme İ., Altındal Ş., Askerov Sh.G., Abdullayeva L.K. The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al-TiW- Pd2Si/n-Si structure  using I-V, C-V and G/ω-V measurements. Microelectronic Engineering. 85, 2008, p.365.

9.

Dökme İ., Altındal Ş., Afandiyeva I.M. The distribution of the barrier height in Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky diodes from I-V-T measurements. Semiconductor Science and Technology. 23, 2008, 1.

10.

Эфендиева И.М., “Определение эффективной толщины зазора КМП с поликристаллическим металлическим слоем”, Труды Международной Конференции Научно-технический  прогресс и современная авиация “, Баку, февр.2009. с.311.

11.

Эфендиева И.М., “Исследование электрофизических параметров контактов металл-полупроводник Al-TiCu/n-Si  с поликристаллической металлической пленкой” AMEA-nın  Xəbərləri, Fiz. riү. elm. seriү. XXX, №2,  2010, c.118.

12.

Эфендиева И.М., “Фрактальные исследования границы раздела КМП Al-TiCu/n-Si” Journal of Qafgaz University,vol.1, 29, 2010, c. 86.

13.

  1. The interface states and series resistance effects on the forward and reverse bias I-V, C-V and G/_-V characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky barrier diodes. Journal of Alloys and Compounds, 503,2010, p. 96.

14.

Üslü H., Dökme İ.,  Altındal Ş., Afandiyeva I.M.,  Illumination effect on I-V, C-V and G/w-V characteristics of Al-TiWPd2Si/ n-Si structures at room temperature. Surface and Interface Analysis.42, 2010, p.807.

15.

Afandiyeva I.M. , Özçelik S, Abdullayeva L.K. Photoluminescence study of metal film’s impact on silicon energetic structure. Journal of Qafgaz University,vol.1,  29, 2010, p. 96.

16.

Afandiyeva I.M. The temperature, frequency and voltage dependent characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structure using , and  measurements. Azerbaijan Journal of Physics - Fizika, XVI,3-4, 2010, p.102.

17.

Afandiyeva I.M.  Frequency, voltage and temperature effects on the inductive properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky diodes. AMEA-nın  Xəbərləri, Fiz. riү. elm. seriү. XXXI, №2,  2011,s. 29.

18.

Afandiyeva I.M., M.Bülbül, Ş.Altındal, S.Bengi. Frequency dependent dielectric properties and electrical conductivity of  Platinum silicide/Si contact structures with diffusion barrier. Microelectronic Engineering, 93, 2012, p. 50.

19.

I.M. Afandiyeva, S. Demirezen, S. Altındal. Temperature dependence of forward and reverse bias current–voltage characteristics in Al–TiW–PtSi/n-Si Schottky barrier diodes with the amorphous diffusion barrier. Journal of Alloys and Compounds, 552 (2013)p. 423–429.

20.

Afandiyeva I.M, Ş. Altindal, E. Maril, T. Z. Guliyeva  et al. “The investigation of tunnel properties of Al-TiW-PtSi/n-Si (111)(MS) Schottky barrier diodes (SBDs) in the wide temperature range” Journ. of Qafgaz University,vol.2 , N2 , 2014, p.  107-118.

21.

И.М. Эфендиева, Л.К.Абдуллаева, Т.З.Кулиева, и др. «АС-проводимость диодов  Шоттки   Al-TiW-PtSi/n-Si» Journ. of Qafgaz University, 2015,v.3, N 1. P.49-52.

22.

I.M.Afandiyeva, Ş. Altindal,  L. K. Abdullayeva et.al. “The frequency and voltage dependentof C-V and G/w-V of Al- TiW-PtSi/n-Si structures at  room temperature”  Journ. of Qafgaz University, 2015,v.3, N 2. P.105-111.

23.

Afandiyeva İ.M., Askerov Sh. G., Abdullayeva L.K.,et al. “İllumination dependent I-V characteristics of PtSi/n-Si( 111) Schottky barrier diodes (SBDS) at room temperature” Journ. of Qafgaz University, 2016,v.4 №2, p.106-114.

24.

I.M.Afandiyeva, L.K.Abdullayeva, T.Z.Guliyeva, SH.M.Gojayeva “Influence of Illumination on Dielectric Properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky DiodesBaku, Int Confr, “ Modern trends in Physics”22 april 2017,p.33-37,(Baku, Fizfak,2017)

25.

I.M. Afandiyeva, Ş. Altındal, L.K. Abdullayeva “Illumination dependent electrical characteristics of PtSi/n-Si(111) Schottky barrier diodes (SBDs) at room temperature

“J. Modern Technology & Engineering Vol.2, No.1, 2017, pp.43-56.

26.

I.M. Afandiyeva , Ş. Altındal , L.K.Abdullayeva, A.İ.Bayramova “" Self-assembled  patches  in PtSi/n-Si(111) diodes"  J. Semicond. 2018, 39 054002

Bookmark and Share