Search

Axtarış

Əfəndiyeva İzzət Məmməd qızı

ƏFƏNDİYEVA İZZƏT MƏMMƏD QIZI

Fizika üzrə elmlər doktoru,dosent
Bakı Dövlət Universiteti Elmi-Tədqiqat Hissəsinin rəisi
Tel.: (+994 012) 510-59-77.
e-mail: elmi_hisse@rambler.ru
QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT
· 1950-ci il sentyabr ayının 10-da Gəncə şəhərində ziyalı ailəsində anadan
olub, azərbaycanlıdır.
· 1967-1972 - ci illərdə Azərbaycan Dövlət Universitetinin (indiki Bakı Dövlət
Universiteti) Fizika fakültəsinin əyani şöbəsində (rus bölməsində) təhsil
alıb.
· 1972-1974 - ci illərdə Gəncə şəhəri 17 saylı dəmir-yolu məktəbinin fizika müəllimi;
· 1974-1977 - ci illərdə Azərbaycan Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu
Xüsusi Konstruktor Bürosunun mühəndisi;
· 1977-1989 - ci illərdə Bakı Dövlət Universiteti Yarımkeçiricilər Fizikası Elmi-
Tədqiqat Laboratoriyasında (indiki Fizika Problemləri Elmi-Tədqiqat
İnstitutu) kiçik elmi işçi;
· 1997-2016 - ci illərdə böyük elmi işçi, aparıcı elmi
işçi,baş elmi işçi;
· 1989- 1997- ci illərdə Bakı Dövlət Universiteti Elmi-Tədqiqat Hissəsində
nəşriyyat və sərgi işləri üzrə qrup rəhbəri, 1-ci prorektorun müavini;
· 1992-1997- ci illərdə „Bakı Universitetinin Xəbərləri” jurnalı Baş
Redaksiyasının məsul katibi;
· 1989-2005 - ci illərdə Radiotexnika, Elektronika və Rabitə Elmi -Texniki
Cəmiyyətin Rəyasət Heyyətinin üzvü.
2007- ci ildən YAP-ın üzvüdür.
100 elmi əsərin müəllifidir.
Rəhbərlik etdiyi elmlər namizədi :
M.Ə.Qənbərzadə (İran),
L.K.Abdullayeva.
2015-ci ildən D.02.012 Dissertasiya Şurasının üzvüdür.
TƏHSİLİ, ELMİ DƏRƏCƏSİ VƏ ELMİ ADLARI
· 1972 - ci ildə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsini fizik,
fizika müəllimi ixtisası almaqla bitirib.
·1987 - ci ildə ”Keçid elementləri əsasında olan mürəkkəb oksidlərin- polyar
dielektriklərin optik xassələri və elektron guruluşu” mövzusunda
namizədlik dissertasiyası,
·2013 - cü ildə Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Al-TiW/n-Si, AlNi/n-Si,
Al-TiCu/n-Si metal-yarımkeçirici kontaktların elektro-fiziki parametrləri,
elektron quruluşu və daşınma mexanizmləri” mövzusunda doktorluq dissertasiyası
müdafiə etmişdir.
· 1991 - ci ildə Gənclər İnstitutu Menecment və Biznes şöbəsini
“Xarici iqtisadi fəaliyyətin təşkili və texnikası” ixtisasını almaqla bitirib.
· 2009-cu ildə “Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası” ixtisası üzrə dosent elmi adı alıb.
Tədqiqat sahəsi: Yarımkeçırıcılər və dielektriklər fizikası, Metal-yarımkeçirici
kontaktlar, nanoelektronika.
Xarici ölkələrə xidməti ezamiyyət :
Rusiya, Ukrayna, Litva, Latviya, Belorusiya, İran,Türkiyə.
Sərgilər :
1991-“Biznes-Konqress”, 1992- “Respublika nailiyyətləri”,
2014,2016-“ Elm Festivalı" , 2014- “I-ci  Respublika  Əqlii Mülkiyyət
və  İnnovasiya”    və digər sərgilərdə “BDU əməkdaşlarının elmi-tədqiqat
işləri” ekspozisiyasını təşkil edib

SEÇİLMİŞ ƏSƏRLƏRİ:

1. Afandiyeva I.M., Askerov Sh.G., Abdullayeva L.K., Aslanov Sh.S. The
obtaining of Al-Ti10W90/n-Si Schottky diodes and investigation of their
interface surface state density. Solid State Electronics, 51,2007, p.1096.
2. Əfəndiyeva İ.M., Ş.Q.Əskərov, L.K. Abdullayeva, M.N. Ağayev, M.H.
Həsənov. Al0,8Ni0,2/nSi diodları ayrılma sərhəddinin electron xassələri.
Fizika, XIII, №3, 2007, s. 62.
3. Afandiyeva I.M., Dökme İ., Altındal Ş.,Bülbül M., Tataroĝlu A.
Frequency and voltage effects on the dielectric properties and electrical
conductivity of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structures. Microelectronic
Engineering, 85, 2008, p.247.
4. Afandiyeva I.M., Dökme İ., Altındal Ş., Askerov Sh.G., Abdullayeva
L.K. The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al-
TiW- Pd2Si/n-Si structure using I-V, C-V and G/ω-V measurements.
Microelectronic Engineering. 85, 2008, p.365.
5. Dökme İ., Altındal Ş., Afandiyeva I.M. The distribution of the barrier
height in Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky diodes from I-V-T measurements.
Semiconductor Science and Technology. 23, 2008, 1.
6. Эфендиева И.М., Определение эффективной толщины зазора КМП с
поликристаллическим металлическим слоем. Труды Международной
Конференции “Научно-технический прогресс и современная
авиация “, Баку, февр.2009. с.311.
7. Эфендиева И.М., Исследование электрофизических параметров
контактов металл-полупроводник Al-TiCu/n-Si с
поликристаллической металлической пленкой. AMEA-nın
Xəbərləri, Fiz. riү. elm. seriү. XXX, №2, 2010, c.118.
8. Эфендиева И.М., Фрактальные исследования границы раздела КМП
Al-TiCu/n-Si. Journal of Qafgaz University,vol.1, 29, 2010, c. 86.
9. Üslü H., Altındal Ş, Aydemir U., Dökme İ., Afandiyeva I.M. The
interface states and series resistance effects on the forward and reverse
bias I-V, C-V and G/_-V characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky
barrier diodes. Journal of Alloys and Compounds, 503,2010, p. 96.
10. Üslü H., Dökme İ., Altındal Ş., Afandiyeva I.M., Illumination effect on
I-V, C-V and G/w-V characteristics of Al-TiWPd2Si/ n-Si structures at
room temperature. Surface and Interface Analysis.42, 2010, p.807.
11. Afandiyeva I.M. , Özçelik S, Abdullayeva L.K. Photoluminescence study
of metal film’s impact on silicon energetic structure. Journal of Qafgaz
University,vol.1, 29, 2010, p. 96.
12. Afandiyeva I.M. The temperature, frequency and voltage dependent
characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structure using I -V ,C -V and
G /w -V measurements. Azerbaijan Journal of Physics - Fizika, XVI,3-
4, 2010, p.102.
13. Afandiyeva I.M. Frequency, voltage and temperature effects on the
inductive properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky diodes. AMEA-nın
Xəbərləri, Fiz. riү. elm. seriү. XXXI, №2, 2011,s. 29.
14. Afandiyeva I.M., M.Bülbül, Ş.Altındal, S.Bengi. Frequency dependent
dielectric properties and electrical conductivity of Platinum silicide/Si
contact structures with diffusion barrier. Microelectronic Engineering,
93, 2012, p. 50.
15. I.M. Afandiyeva, S. Demirezen, S. Altındal. Temperature dependence of
forward and reverse bias current–voltage characteristics in Al–TiW–
PtSi/n-Si Schottky barrier diodes with the amorphous diffusion barrier.
Journal of Alloys and Compounds, 552 (2013)p. 423–429.
Xarici Konfranslarda iştirak: Rusiya, İran, Türkiyə.
16. I.M. Afandiyeva,  Ş. Altındal, E. Maril, et al. The investigation of
tunnel properties of Al-TiW-PtSi/n-Si (111)(MS) Schottky barrier diodes
(SBDs) in the wide temperature range, Journ. of Qafgaz University,vol.2 ,
2 , 2014, p.  107-118.
17. I.M. Afandiyeva,  Ş. Altındal,  L. K. Abdullayeva, The frequency and
voltage dependentf C-V and G/w-V of Al- TiW-PtSi/n-Si structures at  room
temperature. Journ. of Qafgaz University, 2015,v.3, N 2. P.105-111.

Bookmark and Share